封装/外壳:PG-TO251-3
安装风格:ThroughHole
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30V
Id-连续漏极电流:50A
Rds On-漏源导通电阻:5mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20V
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+175C
配置:Single
Pd-功率耗散:68W
通道模式:Enhancement
高度:9.45mm
长度:10.2mm
系列:OptiMOS3
晶体管类型:1N-Channel
宽度:4.5mm
下降时间:3.8ns
上升时间:13ns
典型关闭延迟时间:25ns
典型接通延迟时间:6.7ns
Packing Type:TUBE
Moisture Level:NA
RDS (on) max:5.0mΩ
IDpuls max:350.0A
VDS max:30.0V
ID max:50.0A
Package:IPAK SL (TO-251 SL)
Rth:2.2K/W
QG:15.0nC
Budgetary Price €/1k:0.22
RDS (on) (@4.5V) max:7.3mΩ
Ptot max:68.0W
Polarity:N
Coss:920.0pF
Ciss:2400.0pF
VGS(th) min max:1.0V 2.2V
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs